A Samsung anunciou o início da produção de módulos de 512 GB de memória interna voltados para celulares. O componente vai oferecer a smartphones capacidade de armazenamento semelhante a de computadores. Na prática, será possível salvar um total de 130 vídeos de 10 minutos em resolução 4K, por exemplo.
A nova memória também ganhou um aprimoramento na velocidade de leitura e escrita. A expectativa é que a tecnologia já esteja presente nos telefones top de linha de 2018, como o Galaxy S9, provável sucessor do Galaxy S8.
Novo chip de 512 GB também ganhou melhorias na velocidade de transferência de dados (Foto: Divulgação/Samsung)
O chip surpreende pela capacidade de armazenamento, mas também se destaca pela velocidade na transferência de dados. No total, ele oferece até 800 MB/s de leitura e 255 MB/s de escrita. De acordo com a Samsung, essa velocidade seria capaz de transferir um vídeo Full HD (1080p) de 5 GB em cerca de 5 segundos.
A peça ocupa o mesmo espaço físico que componentes de menor capacidade – são chips V-Nand de 64 camadas, o dobro da versão com 256 GB. A tecnologia é do tipo eUFS (embedded Universal Flash Storage, na silga em inglês), tipo de memória flash usado em smartphones que traz maior eficiência energética e estabilidade.
A ideia é que a memória de 512 GB substitua o cartão microSD em smartphones premium em prol de um melhor desempenho. Existe uma discussão na indústria sobre o quanto a memória expansível pode prejudicar a performance do aparelho, já que os chips eUF
